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我校获批科技部中-日国际科技合作专项项目

发布时间:2015-01-14      作者:科学技术发展院高新技术及产业化办公室

  2014年,由我校材料复合新技术国家重点实验室涂溶教授(湖北省百人计划、楚天学者特聘教授)、章嵩副研究员(湖北省楚天学子)等组成的薄膜与涂层技术研究团队获批科技部国际科技合作专项项目,获国家专项经费464万元。该国际科技合作专项项目外方合作单位为日本东北大学,通过该项目的合作研发,能够低温、快速、安全、低成本生长大尺寸SiC晶圆及外延膜,以满足各下游行业(如:国防、航空航天、超大功率电网、无线电通讯等)对下一代宽禁带半导体材料的需求,项目重点开发用于制备大尺寸SiC晶圆、外延膜的新型激光化学沉积装置及相关材料的结构与品质控制等技术。

  小资料:碳化硅(Silicon Carbide, SiC)具有禁带宽度大、击穿电压高、服役温度高等优异性能,是取代以硅和砷化镓为代表的第三代半导体材料,也是研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件与电路的理想材料,在国防、航空航天、超大规模电网、无线电通讯以及大电流发光二极管照明、太阳能电池等高新技术领域应用前景广阔。

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